预算部门和大规模容量SSD的共同点有一件事 ，这是他们使用的内存芯片类型 。他们都通常运动QLC Nand Flash ，非常适合价格和存储，但对于性能而言并不那么热 。Micron认为 ，它具有新的闪光芯片形式的解决方案 ，该曲线可以在SLC，TLC或QLC模式下适应性地工作 ，从而为您提供了每个世界的最佳状态 ，同时最大程度地减少了最差的部分。
仅次于三星和SK Hynix之后的世界第三大RAM和SSD芯片生产商，它以其Micron 2600 NVME系列SSD的形式推出了新的NAND Flash 。尽管这些看起来像其他任何快速存储棒 ，您可以弹出游戏PC或手持设备 ，但它们的秘密调味料是Micron的自适应写作技术 。
闪存通过在晶体管的导电部分中存储电荷来工作，通过使用大电压将其通过导体周围的绝缘层撞击。当电压熄灭时，绝缘会阻止电荷泄漏 ，这就是为什么SSD可以在没有电源的情况下存储数据的原因 。
为此 ，所需的晶体管集统称为记忆单元 。传统上，这些只能使用一个电压水平来存储电荷 ，从而导致每个单元格1位数据。但是 ，多年来，已经开发了闪存 ，因此可以使用多个电压级别 ，存储不同的电荷，从而更多的信息 。
单层单元格（SLC）是最快的类型 ，但存储最少的数据 。MLC ，TLC和QLC分别使用两个，三个和四个电压水平 ，后者创建4位。Micron的G9 QCL NAND Flash的特殊之处在于 ，这些细胞可以在三种模式之一中工作，而不仅仅是一个或两个模式之一。
就像大多数QLC SSD一样，Micron 2600 SSD将开始以SLC模式编写数据 ，但只有闪光灯芯片中的许多单元格才能实现此目的 。用完后 ，Q9内存将继续以TLC模式写入数据 。最终，这些单元格也将填充 ，这是驱动器将切换到QLC模式的时候。
如果SSD并不特别忙 ，则以SLC或TLC模式编写的数据将在QLC模式下移动其他位置，从而释放更快的单元格 ，以确保他们为下一批传入数据做好了准备 。
自然 ，所有这些都是由SSD的控制器自动处理的（大概是内部设计），因此您需要做的就是将驱动器粘贴到免费的M.2插槽中 ，并享受性能的提升 。Micron声称 ，与竞争QLC驱动器相比，2600的顺序写入速度最高63％ ，更重要的是 ，随机写入多达49％。
例如，1 TB微米2600 NVME SSD的顺序读/写速为7,200和5,800 MB/s，随机读/写入速度为740和1,000 kiops 。听起来很棒 ，是吗？但是 ，我们目前选择最佳的预算游戏SSD，Lexar NM790 ，7,400的吹捧数字和6,500 MB/s顺序以及1,000和900 Kiops的随机 。
但是 ，Lexar在该驱动器和每单位存储空间上使用TLC NAND闪光灯，它比QLC昂贵 ，因为您需要更多的单元格才能获得相同的容量。但是 ，SSD的性能不仅仅是其峰值吞吐量，而且在现实情况下 ，Micron 2600的性能比NM790之类的更一致 。
显然 ，直到我们接手进行测试之前，我们才知道 ，但是如果Micron正确设定了2600的价格 ，我们可能会拥有一个新的预算冠军 。至少，它应该比预算行业最常见的QLC SSD要好得多。
储存尺寸为512 GB，1 TB和2 TB＆MDASH;全部以通常的M.2格式＆Mdash; Micron 2600 NVME应相对较快地出现在零售商的架子上 ，但是您可能想等到所有独立的评论都出现后 ，然后才能溅出现金 。
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文章不错《想要SSD的尺寸和速度？微米的新2600拥有比竞争》内容很有帮助